Photodétecteur d'avalanche
Description
Paramètres techniques
Pourquoi notre photodiode Avalanche fonctionne mieux
Nous fabriquons des photodiodes à avalanche. Ces deux modèles sont EAPD502S-12061 et ESAPD230-MG2. Le photodétecteur d'avalanche possède un gain interne. Elle est plusieurs fois plus sensible qu'une photodiode PIN classique. Il est utilisé pour la télémétrie laser, le LiDAR et la communication optique. Un client de télémètre laser a utilisé notre EAPD502S-12061. Ils devaient détecter des signaux lumineux très faibles. Un code PIN ordinaire ne pourrait pas le faire. Notre APD a une réactivité de 45 à 50A/W. Le gain est de 100 fois. Le client a augmenté la distance de mesure de 100 mètres à 500 mètres. Un autre client de communication optique a choisi l'ESAPD230-MG2. Il possède des électrodes double face. Facile à intégrer. Le photodétecteur d'avalanche résout les problèmes de faible luminosité.
Notre force technique
Nous disposons d’une équipe R&D postdoctorale de 12 personnes. Ils se concentrent sur les dispositifs optoélectroniques. Notre usine a importé des machines eutectiques, des soudeuses et des soudeuses filaires. Nous avons un centre de R&D commun avec l'Université Hangzhou Dianzi. Nos produits sont conformes à RoHS. Nous suivons la gestion 5S. Chaque APD est entièrement testé. Nous accordons une garantie d'un an pour les produits standards. Si les marchandises sont endommagées, envoyez des photos dans les 48 heures. Nous envoyons des remplacements gratuits. Notre équipe après-vente donne une solution dans les 2 heures. La photodiode Avalanche est fabriquée avec précision.
Explications des paramètres importants
Gain : lorsque vous ajoutez une polarisation inverse à un APD, le photocourant est amplifié. Gain optimal M=100. Cela signifie que le signal de sortie est 100 fois supérieur à la lumière d'entrée. Le code PIN ordinaire n’a aucun gain. Réactivité : 45 à 50A/W. Ce nombre est très élevé. Pour chaque microwatt de lumière, vous obtenez 45 à 50 microampères de courant. Courant d'obscurité : avec un gain de 100, le courant d'obscurité n'est que de 0,6 à 2 nA. Très faible. Le bruit est donc faible. Temps de réponse : 0,4 ns. Très rapide. Cela fonctionne pour les signaux haute fréquence. Tension de claquage : 130 à 170V. Vous devez fournir cette tension de polarisation. Le coefficient de température est de 1,25 à 1,55 V/K. Lorsque la température augmente, la tension de claquage augmente également. Vous aurez peut-être besoin d’une compensation de température. Zone photosensible : EAPD502S-12061 est de 500 μm. C'est plus grand et plus facile à aligner. ESAPD230-MG2 mesure 230 μm. Plus petit mais double face pour un câblage facile. La photodiode Avalanche vous offre un gain élevé et un faible bruit.


FAQ et contact
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Partie 1 : Informations de base
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Article |
Unité |
EAPD502S-12061 |
ESAPD230-MG2 |
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Description du produit |
-- |
Photodiode à avalanche, zone photosensible de 500 μm, 1206 SMD |
Électrode double face éclairée par le haut APD, zone ronde de 230 μm |
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Fonctionnalités principales |
-- |
Vitesse de réponse élevée, gain élevé, faible bruit |
Électrode double face à haute réactivité |
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Applications |
-- |
Télémétrie laser, LiDAR, communication optique |
Détection de lumière visible, surveillance, instruments |
Partie 2 : Notes maximales absolues
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Article |
Unité |
EAPD502S-12061 |
ESAPD230-MG2 |
|
Courant inverse IR |
mA |
0.25 |
-- |
|
Courant à terme IF |
mA |
-- |
1 |
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Tension de polarisation APD VPD |
V |
-- |
0,95 × VBR |
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Température de fonctionnement |
degré |
-20~+60 |
-45~+85 |
|
Température de stockage |
degré |
-40~+80 |
-45~+100 |
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Température de soudure Tsol. |
degré |
260 |
-- |
Partie 3 : Caractéristiques électro-optiques
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Article |
Unité |
EAPD502S-12061 |
ESAPD230-MG2 |
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Gamme spectrale λ |
nm |
400~1050 |
-- |
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Longueur d'onde maximale λp |
nm |
840 |
-- |
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Tension de claquage inverse VBR |
V |
130~170 |
-- |
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Coefficient de température de tension de claquage |
V/K |
1.25~1.55 |
-- |
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Réceptivité Re (A/W) |
A/W |
45~50 |
-- |
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ID de courant sombre (M=100) |
n / A |
0.6~2 |
-- |
|
Temps de réponse ts |
ns |
0.4 |
-- |
|
Capacité C |
pF |
2.0 |
-- |
|
Gain optimal M |
-- |
100 |
-- |
Une paire de
Photodiode linéaireUn article
Transistor sensible à la lumièreEnvoyez demande










